券商中國
周樂
2025-06-17 20:56
在地緣因素持續(xù)動蕩與人工智能技術競賽的背景下，全球半導體產(chǎn)業(yè)面臨重塑。在日前集邦咨詢主辦的“TSS 2025半導體產(chǎn)業(yè)高層論壇”上，行業(yè)分析師指出，盡管AI算力需求激增為市場注入動能，但供應鏈區(qū)域化、關稅政策不確定性及產(chǎn)能結構性調(diào)整正重塑行業(yè)格局，晶圓代工廠區(qū)域分化將加劇。同時，在英偉達等算力巨頭需求推動下，HBM（高帶寬內(nèi)存）迭代快速，市占率急速提高，產(chǎn)生的排擠效應正在重塑內(nèi)存行業(yè)供給格局；在新材料領域，氮化鎵正處于大規(guī)模應用的臨界點，向汽車、AI數(shù)據(jù)中心、人形機器人等高功率場景推廣。
區(qū)域分化加劇
當前全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)面臨著關稅等短期政策沖擊，對8英寸與12英寸產(chǎn)能帶來不同程度影響。
集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理郭祚榮指出，8英寸晶圓產(chǎn)能因美國對華出口管制的“90天寬限期”出現(xiàn)擠單現(xiàn)象，客戶急單拉貨，但第三季度起利用率將開始下滑，第四季度可能進一步走弱。相比之下，12英寸產(chǎn)能則相對穩(wěn)健，但臺積電等大廠因客戶庫存調(diào)整也會有所下行，其先進工藝部分占比依舊維持高位。
關稅政策的不確定性仍是最大變量。據(jù)集邦咨詢統(tǒng)計，2024年全球半導體IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預計達到6473億美元，同比增長25.6%，創(chuàng)近年新高。這一強勁增長主要受益于AI算力需求爆發(fā)及存儲器價格觸底反彈的雙重推動。然而，隨著美國新政府上臺后實施的貿(mào)易限制與關稅政策持續(xù)擾動市場，多家機構已將2025年半導體增長預期從年初預估的20%以上大幅下修至10%—15%。
在人工智能和車用電子帶動下，2025年全球半導體晶圓代工營收預計同比增長19.1%，但若排除臺積電貢獻，行業(yè)增速將驟降至5.7%，這一顯著差距凸顯了先進制程技術對代工產(chǎn)業(yè)增長的顯著作用。
另一方面，晶圓代工廠產(chǎn)業(yè)區(qū)域分化將加劇。
據(jù)統(tǒng)計，中國臺灣地區(qū)目前雖以73%的全球代工產(chǎn)能占比領跑，但受電力制約以及產(chǎn)能外移等影響，其先進工藝份額預計從2021年的66%降至2030年的54%；相比之下，美國通過吸引臺積電、英特爾等廠商投資，目標將本土先進工藝份額從18%提升至2030年的27%。其中，臺積電亞利桑那州工廠受限于成本與良率，2030年預計僅有三座工廠完工，預估貢獻16%的美國先進工藝產(chǎn)能。
與此同時，中國大陸聚焦成熟制程擴張，預計到2030年其12英寸晶圓產(chǎn)能年復合增長率達18.8%，遠超全球平均的9.6%，成熟工藝市占率將突破48%。
終端廠商加速自研
AI算力革命為半導體市場帶來新機遇。
郭祚榮表示，AI服務器芯片需求預計2024年同比增長24%，延續(xù)去年46%的高增長態(tài)勢，成為支撐先進制程需求的核心動力。盡管AI芯片到2027年預計僅占先進工藝產(chǎn)能的9%，其產(chǎn)值占比卻極高。相比，消費電子市場可能持續(xù)低迷。
集邦咨詢資深分析師儲于超強調(diào)，AI正重塑半導體產(chǎn)業(yè)格局。據(jù)集邦預測，到2028年，半導體產(chǎn)業(yè)年復合增長率為8.3%，其中數(shù)據(jù)中心以11.5%的復合增長率領跑，遠超消費電子、工業(yè)等領域的6%以下增速。這一分化凸顯AI對產(chǎn)業(yè)的結構性拉動作用。
在云端計算領域，英偉達憑借其GPU架構的絕對優(yōu)勢，成為產(chǎn)業(yè)增長的核心驅動力。2023—2024財年，英偉達營收同比激增125%，遠超其他Fabless（無晶圓廠）芯片企業(yè)平均20%的增幅。英偉達AI服務器產(chǎn)品線通過異構計算、NV-Link高速互聯(lián)及可擴展架構，牢牢掌控云端訓練市場。
儲于超指出，英偉達的毛利率已突破60%，但客戶對單一供應商依賴的擔憂日益加劇，谷歌、微軟等云服務商正加速自研芯片（如TPU、DPU），甚至采用全光網(wǎng)絡架構挑戰(zhàn)其壟斷地位。
隨著終端廠商自研芯片、區(qū)域供應鏈重組等，AI服務器市場格局正在重塑。
集邦咨詢研究經(jīng)理龔明德指出，當前AI服務器以英偉達和AMD為代表的GPU為主，但是自研芯片具備增長潛力，預計今年占比有望達到25%。從供應鏈上下游反饋，AWS自研芯片增長速度比較快，預計今年出貨量有機會翻倍增長。
“受地緣因素以及供應鏈風險，一些互聯(lián)網(wǎng)業(yè)者明確AI應用服務需求，所以知道用怎樣的ASIC（專用集成電路）AI芯片來輔助服務器，中長期而言是比較有潛力的?！饼徝鞯卤硎?。
據(jù)集邦咨詢預測，2025年AI服務器的產(chǎn)值會達到30億美元，同比增長46%。隨著英偉達從H系列向B系列轉換，整個AI服務器產(chǎn)值提升，預計今年AI服務器的市場占有率會從去年的67%提升到70%；另外，液冷散熱方案的滲透率也有望從去年的14%提升到今年的30%。
HBM排擠效應
人工智能的興起，直接拉動了HBM市場發(fā)展，2025年HBM總需求年增長94%，2026年增速將回落至50%以下，但仍遠超整體DRAM增長水平。
集邦咨詢分析師許家源介紹，HBM技術每兩至三年迭代一代，但未來兩年將加速推進，預計HBM3e將占據(jù)2025年出貨份額超過90%，2026年HBM4將開始滲透市場，供貨商預計2026年第二季度量產(chǎn)。其中，SK海力士繼續(xù)位居HBM主力供應商，美光快速追趕。
市場需求方面，英偉達維持HBM消費市場最大份額，預測占據(jù)HBM約61%市場，2025年或進一步攀升至70%以上，但預計2026年后可能出現(xiàn)結構性轉折。一方面，英偉達下一代芯片可能仍維持8顆HBM配置（12hi/36Gb），無法提升容量，導致需求增速放緩；另一方面，海內(nèi)外自研廠商將加速推出搭載多層HBM的AI芯片，顆粒數(shù)持續(xù)攀升，縮小與英偉達差距。
HBM對內(nèi)存產(chǎn)業(yè)帶來了排擠效應。
據(jù)統(tǒng)計，三星、海力士、美光HBM在各自內(nèi)存產(chǎn)能占比分別是23%、18%和26%，且HBM的增長速度高于整體內(nèi)存增速，營收年增率高速增長，也帶動整體內(nèi)存價格上漲。因此，內(nèi)存供應商巨頭將HBM以及DDR5列為生產(chǎn)重心，相應排擠DDR4產(chǎn)能，導致DDR4價格上漲，也推動需求方從DDR4向DDR5快速迭代。
AI也為閃存市場帶來了新的需求趨勢。
據(jù)集邦咨詢預測，AI帶動服務器固態(tài)硬盤需求占比達9%—10%，預計到2028年這一占比將提升至20%；其中，企業(yè)級SSD將是受AI影響最大的領域，隨著AI提高數(shù)據(jù)傳輸效率，PCIe Gen 5.0將在下半年成為主流，明年英偉達新一代產(chǎn)品將采用PCIe Gen 6.0，其他產(chǎn)品線由于成本競爭激烈，產(chǎn)能過剩，價格恐怕難以大幅反彈。
人工智能還將帶來寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)新機遇。
集邦咨詢分析師龔瑞驕指出，GaN（氮化鎵）正處于大規(guī)模應用的臨界點，由中低功率消費電子逐漸走向高功率應用，汽車、AI數(shù)據(jù)中心、人形機器人等場景蘊藏巨大潛力，預計氮化鎵的功率器件市場規(guī)模將會從去年的大概3.9億美元成長到2030年的33.3億美元。
在AI服務器領域，氮化鎵將主要應用于服務器架構中的PSU（電源供應單元）模塊和IBC（中間總線轉換器）模塊中。其中，當AI服務器PSU功率達到7千瓦以上，就需要使用氮化鎵設計出滿足功率密度和效能的電源產(chǎn)品。另外，人形機器人的關節(jié)也會大量使用到氮化鎵，提升機器人高效、便捷性以及負載能力。
