拓荊科技的出現(xiàn),拓出了一條令人矚目的國產(chǎn)化之路。
在高端半導(dǎo)體制造中,薄膜沉積設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備共同構(gòu)成了芯片制造三大核心設(shè)備。其中,薄膜沉積設(shè)備常年占據(jù)晶圓制造設(shè)備市場五分之一以上的市場份額,但該行業(yè)呈現(xiàn)壟斷競爭的局面,市場長期由國際巨頭把持。
拓荊科技的出現(xiàn),在國際巨頭壟斷、荊棘密布的薄膜沉積設(shè)備市場上,拓出了一條令人矚目的國產(chǎn)化之路。拓荊科技董事長呂光泉表示,2024年中國大陸薄膜沉積設(shè)備市場推算約為97億美元,其中公司覆蓋的產(chǎn)品市場規(guī)模約48.5億美元,而公司對應(yīng)產(chǎn)品收入41億元,市場份額占比約12%。
目前,拓荊科技主要從事PECVD(等離子體增強化學(xué)氣相沉積)、ALD(原子層沉積)、Gap Fill(溝槽填充)等薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,可以支撐邏輯芯片、存儲芯片中所需的全部介質(zhì)薄膜材料約100多種工藝應(yīng)用。呂光泉認為,拓荊科技的市場份額依然有較大提升空間。
不可否認,在薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域,中外差距依然存在。呂光泉表示,在先進技術(shù)方面,國產(chǎn)廠商相較海外龍頭而言,起步雖然相對較晚,面臨國際設(shè)備廠商的競爭和挑戰(zhàn),國產(chǎn)廠商通過自主創(chuàng)新不斷實現(xiàn)技術(shù)突破,展示出強勁的潛力。
從工藝覆蓋度、量產(chǎn)設(shè)備性能指標(biāo)來看,中國企業(yè)正迎頭趕上。呂光泉表示:“從技術(shù)水平來看,近年來中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,以公司為代表的廠商在薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)持續(xù)突破和快速發(fā)展,工藝覆蓋度不斷提高,已量產(chǎn)設(shè)備性能指標(biāo)可達到國際同類設(shè)備先進水平?!?/p>
這背后,是以拓荊科技為代表的企業(yè)持續(xù)進行技術(shù)攻關(guān),啃下一個個“硬骨頭”。拓荊科技先后承擔(dān)了11項國家重大專項或課題。截至2024年12月底,公司累計申請專利1640項(含PCT),獲得授權(quán)專利507項。通過自主研發(fā),公司已形成一系列獨創(chuàng)性的設(shè)計,在半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域積累了多項研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的核心技術(shù)。
面向未來,當(dāng)“后摩爾時代”芯片制程持續(xù)縮小接近物理極限,更高的性能芯片就要通過新的芯片設(shè)計架構(gòu)和芯片堆疊方式來實現(xiàn),由此催生了三維集成領(lǐng)域的半導(dǎo)體設(shè)備新需求。三維集成領(lǐng)域的產(chǎn)品有望成為拓荊科技業(yè)績增長“新引擎”。目前,拓荊科技晶圓對晶圓混合鍵合設(shè)備等已經(jīng)獲得重復(fù)訂單并擴大產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,芯片對晶圓混合鍵合設(shè)備也實現(xiàn)出貨,同時,開發(fā)的配套檢測設(shè)備已實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
“我們正提前布局往后兩代、三代產(chǎn)品的技術(shù),現(xiàn)在公司70%的產(chǎn)品都是新工藝、先進工藝所需要的?!眳喂馊硎?。
校對:冉燕青