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“我們沒(méi)有囤到DDR4的貨，等反應(yīng)過(guò)來(lái)，手上貨都清理得差不多了?！睂?duì)于當(dāng)前存儲(chǔ)市場(chǎng)DDR4上漲行情，一位深圳本土存儲(chǔ)銷售代理商嘆息道，僅間隔兩周，DDR4顆粒價(jià)格翻倍，甚至部分型號(hào)價(jià)格已經(jīng)追平新一代DDR5。

在存儲(chǔ)晶圓原廠陸續(xù)宣布減產(chǎn)計(jì)劃背景下，近期存儲(chǔ)市場(chǎng)加速回暖，以DDR4為代表的內(nèi)存條領(lǐng)漲市場(chǎng)，在傳統(tǒng)的IC淡季急速升溫。證券時(shí)報(bào)記者探訪深圳華強(qiáng)北電子市場(chǎng)發(fā)現(xiàn)，商戶普遍反映以DDR4為代表的內(nèi)存條價(jià)格在近期大幅上漲，甚至出現(xiàn)“倒掛”，反超DDR5內(nèi)存條價(jià)格，并且大力推薦搭載國(guó)產(chǎn)顆粒的內(nèi)存品牌。

業(yè)內(nèi)人士向記者表示，存儲(chǔ)晶圓的價(jià)格波動(dòng)與供應(yīng)強(qiáng)相關(guān)，在原廠投資重心調(diào)整以及下游需求助推下，近期DDR4價(jià)格大幅上漲。

DDR4與DDR5價(jià)格“倒掛”

DDR4是指第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是目前主流的PC和服務(wù)器內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)之一，單芯片容量可達(dá)16GB；市場(chǎng)上新一代DDR5單芯片容量可達(dá)64GB，并且具有更快速度與帶寬、更低功耗，但是近期卻出現(xiàn)新一代產(chǎn)品被上一代產(chǎn)品價(jià)格反超的“倒掛”現(xiàn)象。

有存儲(chǔ)代理商向記者表示，受原廠減產(chǎn)影響，近兩周部分型號(hào)DDR4顆粒價(jià)格從3美元飆升到6—8美元。“現(xiàn)在淡季變成了旺季，客戶每天看到報(bào)價(jià)都會(huì)問(wèn)‘瘋了么’?”

某國(guó)際品牌DDR4 16GB內(nèi)存條

內(nèi)存條價(jià)格也水漲船高。以國(guó)際某知名品牌DDR4 16GB內(nèi)存條為例，華強(qiáng)北商戶向記者報(bào)價(jià)最高達(dá)到380元，二手拆機(jī)價(jià)格都要200多元，新產(chǎn)品最低報(bào)價(jià)也接近300元，價(jià)格幾乎翻倍了；DDR3內(nèi)存條也有漲價(jià)，但漲幅遠(yuǎn)不及DDR4，有的DDR4報(bào)價(jià)幾乎追平DDR5。

有商戶向記者建議，如果設(shè)備兼容，可以直接入手DDR5，畢竟與DDR4內(nèi)存條價(jià)格也就相差不大。

當(dāng)前DDR4在存儲(chǔ)市場(chǎng)依舊占據(jù)重要地位。

TrendForce集邦咨詢分析師許家源向證券時(shí)報(bào)記者表示，DDR4主要應(yīng)用范圍為PC、服務(wù)器和消費(fèi)市場(chǎng)，主要容量為4GB、8GB、16GB，其中在4GB部分與DDR3重疊，16Gb部分與DDR5重疊。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2025年P(guān)C及服務(wù)器市場(chǎng)中，DDR4的滲透率約20%—30%，DDR5的滲透率約為70%—80%。

“對(duì)于PC及Server應(yīng)用而言，部分Intel Raptor Lake、Ice Lake等CPU僅支持DDR4，因此較積極接受原廠漲價(jià)?！痹S家源表示，按照目前原廠與需求側(cè)的商談情況，預(yù)期當(dāng)前DDR4合約價(jià)漲勢(shì)將至少延續(xù)至2025年第三季度。

從近期市場(chǎng)需求來(lái)看，今年第二季度以來(lái)，云服務(wù)廠商需求穩(wěn)健，甚至上修AI服務(wù)器配置，相應(yīng)追加了對(duì)DDR4存儲(chǔ)器訂單；另一方面，由于4月上旬關(guān)稅風(fēng)波，導(dǎo)致PC廠商提高備貨需求，并加速鋪貨至美國(guó)渠道，以避開(kāi)后續(xù)的不確定性。據(jù)預(yù)估，今年第二季度服務(wù)器與PC DDR4模組價(jià)格將分別上漲18%—23%和13%—18%。

不過(guò)，最新DDR4市場(chǎng)開(kāi)始出現(xiàn)成交乏力跡象。

據(jù)閃存市場(chǎng)最新統(tǒng)計(jì)，經(jīng)過(guò)近一個(gè)月的上漲行情，渠道8/16/32GB DDR4 UDIMM價(jià)格全線漲超去年同期水平。渠道端因已持續(xù)一個(gè)多月的上漲行情，近期市場(chǎng)有所降溫并漸趨理性，渠道DDR4價(jià)格上漲難度大而普遍高位橫盤，但個(gè)別產(chǎn)品因前期漲幅過(guò)大已出現(xiàn)“有價(jià)無(wú)市”的窘境。

“跟黃金一樣，大家都是買漲不買跌?！鼻笆龃鎯?chǔ)銷售代理向記者表示，現(xiàn)在DDR4拿貨需要謹(jǐn)慎些了，生怕接了“最后一棒”。

原廠產(chǎn)能被排擠

作為半導(dǎo)體重要品類之一，存儲(chǔ)具備大宗商品屬性，被上游存儲(chǔ)晶圓廠高度壟斷，而近期DDR4漲價(jià)就被認(rèn)為與原廠逐步計(jì)劃減產(chǎn)、停產(chǎn)有關(guān)。

江波龍方面接受證券時(shí)報(bào)記者采訪時(shí)表示，受存儲(chǔ)晶圓原廠決定戰(zhàn)略性部分退出DDR4業(yè)務(wù)，以及下游服務(wù)器市場(chǎng)持續(xù)放量增長(zhǎng)的影響，近期部分DDR4/LPDDR4X價(jià)格明顯上揚(yáng)。

“存儲(chǔ)晶圓行業(yè)具有較高的行業(yè)集中度且主要由境外廠商供應(yīng)，其中DRAM供應(yīng)格局較Flash的供應(yīng)更為集中?！苯埛矫嬷赋?，根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2024年三星、海力士、美光科技三家原廠的DRAM供應(yīng)占全球比重超95%。正因此，存儲(chǔ)晶圓的價(jià)格波動(dòng)與供應(yīng)強(qiáng)相關(guān)，供應(yīng)端的產(chǎn)能調(diào)整存在一定的滯后性，供需關(guān)系的錯(cuò)配使得存儲(chǔ)晶圓和存儲(chǔ)產(chǎn)品的市場(chǎng)價(jià)格存在一定波動(dòng)。

回顧來(lái)看，今年一季度內(nèi)存行業(yè)就在醞釀漲價(jià)。受電腦、手機(jī)市場(chǎng)需求增長(zhǎng)，以及國(guó)內(nèi)從去年第四季度實(shí)施的國(guó)補(bǔ)政策助推，DRAM需求旺盛，加上美國(guó)進(jìn)口關(guān)稅擔(dān)憂，促使PC制造商加速消耗庫(kù)存。

另一方面，供給側(cè)縮減成為直接“導(dǎo)火索”。閃存市場(chǎng)分析指出，去年三季度手機(jī)終端去庫(kù)存，原廠DRAM出貨減少，為保利潤(rùn)，原廠相應(yīng)減少在LPDDR4/4X等成熟制程產(chǎn)品的投入，部分原廠減產(chǎn)幅度或達(dá)20%—30%。

今年原廠更是頻繁傳出DDR4減產(chǎn)消息。4月，三星電子傳出將減產(chǎn)DDR4消息，并且要求客戶在6月前完成訂單確認(rèn)；SK海力士也傳出通知，計(jì)劃將現(xiàn)有DDR4產(chǎn)能壓縮至總產(chǎn)能的20%以下，預(yù)計(jì)2026年4月正式停產(chǎn)；5月國(guó)產(chǎn)原廠長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也傳出DDR4停產(chǎn)消息。

6月美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana公開(kāi)表示確認(rèn)了DDR4/LPDDR4X停產(chǎn)計(jì)劃，涉及PC及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域客戶，未來(lái)美光科技將僅向汽車、工業(yè)和通信三大應(yīng)用領(lǐng)域的長(zhǎng)期客戶供應(yīng)DDR4/LPDDR4X產(chǎn)品，并預(yù)計(jì)后續(xù)DDR將出現(xiàn)嚴(yán)重供不應(yīng)求。

隨著美光科技官方確認(rèn)，DDR行情急速爆發(fā)；而進(jìn)一步追溯這場(chǎng)漲價(jià)“風(fēng)暴”的源頭，與HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）帶來(lái)的產(chǎn)能排擠效應(yīng)密切相關(guān)。

在人工智能發(fā)展推動(dòng)下，HBM已成為支撐AI算力發(fā)展的關(guān)鍵存儲(chǔ)技術(shù)。

許家源介紹，HBM技術(shù)每?jī)芍寥甑淮?，但未?lái)兩年將加速推進(jìn)，其中，SK海力士繼續(xù)位居HBM主力供應(yīng)商，美光快速追趕。同時(shí)，HBM對(duì)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了排擠效應(yīng)。

據(jù)集邦咨詢統(tǒng)計(jì)，三星、海力士、美光HBM在各自內(nèi)存產(chǎn)能占比分別是23%、18%和26%，且HBM的增長(zhǎng)速度高于整體內(nèi)存增速，營(yíng)收年增率高速增長(zhǎng)，也帶動(dòng)整體內(nèi)存價(jià)格上漲。因此，內(nèi)存供應(yīng)商巨頭將HBM以及DDR5列為生產(chǎn)重心，相應(yīng)排擠DDR4產(chǎn)能，供給減少，導(dǎo)致DDR4價(jià)格上漲。不過(guò)，目前供應(yīng)商的停供通知是針對(duì)服務(wù)器與PC客戶，而消費(fèi)級(jí)DRAM主流需求仍為DDR4，廠商將持續(xù)出貨DDR4顆粒產(chǎn)品。

對(duì)于原廠是否會(huì)考慮取消或者暫緩DDR4減產(chǎn)，許家源表示，隨著DDR4價(jià)格持續(xù)上漲，原廠生產(chǎn)DDR4的經(jīng)濟(jì)性提升，不排除原廠未來(lái)評(píng)估放緩DDR4的減產(chǎn)幅度，但目前尚未收到原廠確定此類決策的信息。

國(guó)產(chǎn)廠商崛起

“要不要考慮國(guó)產(chǎn)品牌？?jī)?nèi)存顆粒不輸國(guó)際原廠，性價(jià)比也更高?！痹谟浾咛皆L深圳華強(qiáng)北時(shí)，多位商家向記者推薦搭載國(guó)產(chǎn)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DDR4內(nèi)存條，同等存儲(chǔ)規(guī)格下比國(guó)際品牌便宜100元左右。

根據(jù)市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)Counterpoint預(yù)測(cè)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)今年DRAM出貨量將同比增長(zhǎng)50%，在整體DRAM市場(chǎng)的出貨份額預(yù)計(jì)將從第一季度的6%增至第四季度的8%。有業(yè)內(nèi)人士此前向記者預(yù)計(jì)，盡管存儲(chǔ)模組廠商80%—90%使用海外原廠顆粒，但是國(guó)產(chǎn)率也在逐步提升。

作為長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)關(guān)聯(lián)方，兆易創(chuàng)新持續(xù)從長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)采購(gòu)代工生產(chǎn)DRAM相關(guān)產(chǎn)品，雙方關(guān)聯(lián)交易規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。

據(jù)披露，兆易創(chuàng)新預(yù)計(jì)DDR4 8GB產(chǎn)品在TV、工業(yè)等重點(diǎn)領(lǐng)域?qū)⑼确帕浚鄳?yīng)采購(gòu)代工金額預(yù)計(jì)增加，2025年度預(yù)計(jì)雙方交易額度約11.61億元。

兆易創(chuàng)新介紹，公司作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Fabless存儲(chǔ)器供應(yīng)商，DRAM是公司的重要產(chǎn)品線，具有良好市場(chǎng)空間和發(fā)展?jié)摿?。?021年以來(lái)，公司陸續(xù)設(shè)計(jì)推出DDR4、DDR3等多款利基型DRAM產(chǎn)品；長(zhǎng)鑫是國(guó)內(nèi)稀缺的DRAM存儲(chǔ)產(chǎn)品IDM企業(yè)，其基于雙方戰(zhàn)略合作關(guān)系，開(kāi)放部分產(chǎn)能為公司利基型DRAM業(yè)務(wù)提供代工服務(wù)，是公司在利基型DRAM業(yè)務(wù)領(lǐng)域重要的合作伙伴。

商家展示的國(guó)內(nèi)品牌DDR4內(nèi)存條

多家A股存儲(chǔ)公司也回應(yīng)了DDR4漲價(jià)影響。

江波龍方面向記者表示，作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的獨(dú)立存儲(chǔ)器廠商，公司客戶結(jié)構(gòu)及業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)以大客戶為主，公司持續(xù)保持著穩(wěn)健的經(jīng)營(yíng)態(tài)度，順應(yīng)市場(chǎng)變化的同時(shí)，結(jié)合公司在手訂單、客戶需求等多方面因素進(jìn)行調(diào)整。據(jù)介紹，江波龍與上游主要存儲(chǔ)晶圓原廠建立了長(zhǎng)期、穩(wěn)定和緊密的業(yè)務(wù)合作關(guān)系，并具備自研芯片、固件研發(fā)、封裝測(cè)試、海外布局及全球市場(chǎng)品牌等核心優(yōu)勢(shì)。

東芯股份表示，目前公司對(duì)于利基型DRAM也在產(chǎn)能端逐步拓展，客戶端逐步發(fā)力，希望在本輪海外退出的節(jié)點(diǎn)獲取更多的市場(chǎng)份額。

大為科技表示，公司全資子公司深圳市大為創(chuàng)芯微電子科技有限公司主要產(chǎn)品有NAND、DRAM存儲(chǔ)兩大系列。目前大為創(chuàng)芯的DDR4以及LPDDR4X是嵌入式市場(chǎng)的主流方案。公司根據(jù)原材料價(jià)格波動(dòng)及市場(chǎng)供求和競(jìng)爭(zhēng)情況，管理公司產(chǎn)品和服務(wù)價(jià)格，努力實(shí)現(xiàn)公司和客戶價(jià)值雙贏。

協(xié)創(chuàng)數(shù)據(jù)表示，公司存儲(chǔ)相關(guān)產(chǎn)品實(shí)行以銷定產(chǎn)、以產(chǎn)定購(gòu)策略，根據(jù)客戶訂單及銷售預(yù)測(cè)來(lái)安排采購(gòu)和生產(chǎn)計(jì)劃；德明利表示，隨著存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)供需結(jié)構(gòu)逐步改善，行業(yè)價(jià)格呈現(xiàn)企穩(wěn)回升態(tài)勢(shì)，公司將積極優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、強(qiáng)化供應(yīng)鏈管理與成本控制，持續(xù)提升盈利能力。

北京君正表示，公司DDR4、LPDDR4產(chǎn)品的占比不大；今年公司20nm、18nm、16nm工藝的DRAM產(chǎn)品預(yù)計(jì)可以陸續(xù)推向市場(chǎng)，之后DDR4和LPDDR4的占比會(huì)提升。

作為A股內(nèi)存接口芯片龍頭，瀾起科技已經(jīng)步入DDR5“收獲期”，去年公司DDR5內(nèi)存接口芯片出貨量超過(guò)DDR4內(nèi)存接口芯片；受DDR5滲透率持續(xù)提升影響，今年一季度公司實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)5.25億元，同比增長(zhǎng)135.14%。

據(jù)介紹，相比DDR4，瀾起科技可提供的DDR5內(nèi)存接口相關(guān)產(chǎn)品總價(jià)值量大幅提升，而且除內(nèi)存接口芯片外，公司還可以提供DDR5內(nèi)存模組配套芯片，部分DDR5內(nèi)存模組配套芯片，可以應(yīng)用于服務(wù)器、PC和筆記本電腦的內(nèi)存模組。從產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)來(lái)看，預(yù)計(jì)2025年DDR5整體滲透率將繼續(xù)提升。